Pd - рассеивание мощности: 50 W
Вид монтажа: Chassis Mount
Высота: 12 mm
Длина: 35.6 mm
Другие названия товара №: FS10R06VE3BOMA1 SP000100333
Категория продукта: Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
Конфигурация: Hex
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер: +/- 20 V
Минимальная рабочая температура: 40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 16 A
Подкатегория: IGBTs
Продукт: IGBT Silicon Modules
Размер фабричной упаковки: 40
Тип продукта: IGBT Modules
Ток утечки затвор-эмиттер: 400 nA
Торговая марка: Infineon Technologies
Упаковка: Tray
Упаковка / блок: EASY750
Ширина: 25.4 mm
Вес, г: 10
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/475/DOC011475656.pdf
Бренд: Infineon Technologies
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 16A
