Pd - рассеивание мощности: 2.1 kW
RoHS: N
Вид монтажа: Chassis Mount
Высота: 17 mm
Длина: 162 mm
Другие названия товара №: SP000014915 FS450R12KE3BOSA1
Категория продукта: Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
Коммерческое обозначение: TRENCHSTOP EconoPACK
Конфигурация: Hex
Максимальная рабочая температура: + 125 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V
Минимальная рабочая температура: 40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2.15 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 600 A
Подкатегория: IGBTs
Продукт: IGBT Silicon Modules
Размер фабричной упаковки: 4
Серия: Trenchstop IGBT3 - E3
Технология: Si
Тип продукта: IGBT Modules
Ток утечки затвор-эмиттер: 400 nA
Торговая марка: Infineon Technologies
Упаковка: Tray
Упаковка / блок: EconoPACK+
Ширина: 150 mm
Вес, кг: 1
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/464/DOC011464176.pdf
Бренд: Infineon Technologies
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 450A 3-PHASE
