Максимальная рабочая температура: +175 °C
Максимальный непрерывный ток стока: 120 А
Тип корпуса: TO-220
Максимальное рассеяние мощности: 310 Вт
Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия
Ширина: 4.6мм
Высота: 15.75мм
Размеры: 10.4 x 4.6 x 15.75мм
Материал транзистора: Кремний
Количество элементов на ИС: 1
Длина: 10.4мм
Transistor Configuration: Одинарный
Типичное время задержки включения: 30 нс
Производитель: STMicroelectronics
Типичное время задержки выключения: 140 нс
Серия: STripFET
Минимальная рабочая температура: -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage: 4V
Minimum Gate Threshold Voltage: 2V
Максимальное сопротивление сток-исток: 3,7 м_
Максимальное напряжение сток-исток: 40 В
Число контактов: 3
Типичный заряд затвора при Vgs: 170 нКл при 10 В
Номер канала: Поднятие
Типичная входная емкость при Vds: 5100 пФ при 25 В
Тип канала: N
Максимальное напряжение затвор-исток: -20 В, +20 В
Вес, г: 3.5
Бренд: ST Microelectronics
N-Channel STripFET ™, STMicroelectronics
