Id - непрерывный ток утечки: 700 mA
Pd - рассеивание мощности: 25 W
Qg - заряд затвора: 7.8 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 15 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 1 kV
Vgs - напряжение затвор-исток: 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 4.5 V
Вид монтажа: Through Hole
Время нарастания: 19 ns
Время спада: 28 ns
Высота: 16.07 mm
Длина: 10.36 mm
Канальный режим: Enhancement
Категория продукта: МОП-транзистор
Количество каналов: 1 Channel
Конфигурация: Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 0.55 S
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Минимальная рабочая температура: 55 C
Подкатегория: MOSFETs
Полярность транзистора: N-Channel
Размер фабричной упаковки: 50
Серия: IXTP05N100
Технология: Si
Тип: High Voltage MOSFET
Тип продукта: MOSFET
Тип транзистора: 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения: 40 ns
Типичное время задержки при включении: 11 ns
Торговая марка: IXYS
Упаковка: Tube
Упаковка / блок: TO-220-3
Ширина: 4.9 mm
Вес, г: 2.19
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/745/DOC011745654.pdf
Бренд: Ixys Corporation
МОП-транзистор 0.5 Amps 1000V
