Максимальная рабочая температура: +175 °C
Максимальный непрерывный ток стока: 99 А
Тип корпуса: IPAK (TO-251)
Максимальное рассеяние мощности: 143 Вт
Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия
Ширина: 2.39мм
Высота: 7.49мм
Размеры: 6.73 x 2.39 x 7.49мм
Материал транзистора: Кремний
Количество элементов на ИС: 1
Длина: 6.73мм
Transistor Configuration: Одинарный
Типичное время задержки включения: 45 ns
Производитель: Infineon
Типичное время задержки выключения: 43 нс
Серия: HEXFET
Минимальная рабочая температура: -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage: 2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage: 1V
Максимальное сопротивление сток-исток: 8,3 мОм
Максимальное напряжение сток-исток: 60 В
Число контактов: 3
Типичный заряд затвора при Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Номер канала: Поднятие
Типичная входная емкость при Vds: 3779 pF @ 50 V
Тип канала: N
Максимальное напряжение затвор-исток: -16 V, +16 V
Вес, г: 0.45
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/335/DOC004335350.pdf
Бренд: Infineon Technologies
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT
