Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 40
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 12
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0025 Ом/20А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 37
Крутизна характеристики, S: 58
Корпус: PQFN-8(3.3X3.3)
Пороговое напряжение на затворе: 0.5…1.1
Вес, г: 0.43
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/299/DOC000299257.pdf
Бренд: Infineon Technologies
N-канальный силовой полевой МОП-транзистор от 12 В до 25 В, Infineon
Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов Infineon HEXFET® включает в себя N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также в форм-факторах, которые подходят практически для любой компоновки платы и проблема теплового проектирования. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.
