Pd - рассеивание мощности: 454 W
Вид монтажа: Through Hole
Высота: 20.7 mm
Длина: 15.87 mm
Другие названия товара №: SP001545048
Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Конфигурация: Single
Максимальное напряжение затвор-эмиттер: +/- 20 V
Минимальная рабочая температура: 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2.1 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 140 A
Подкатегория: IGBTs
Размер фабричной упаковки: 400
Технология: Si
Тип продукта: IGBT Transistors
Торговая марка: Infineon / IR
Упаковка: Tube
Упаковка / блок: TO-247-3
Ширина: 5.31 mm
Base Product Number: IRGP4066 ->
Current - Collector (Ic) (Max): 140A
Current - Collector Pulsed (Icm): 225A
ECCN: EAR99
Gate Charge: 150nC
HTSUS: 8541.29.0095
IGBT Type: Trench
Input Type: Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package: Tube
Package / Case: TO-247-3
Power - Max: 454W
REACH Status: REACH Unaffected
Reverse Recovery Time (trr): 155ns
RoHS Status: ROHS3 Compliant
Supplier Device Package: TO-247AC
Switching Energy: 2.47mJ (on), 2.16mJ (off)
Td (on/off) @ 25В°C: 50ns/200ns
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600V
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/435/DOC011435818.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/770/DOC011770890.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/700/DOC000700228.pdf
Бренд: Infineon Technologies
• Технология Trench IGBT с низким VCE (ON)
• Низкие коммутационные потери
• Square RBSOA
• 100% деталей протестированы на ILM
• Положительный температурный коэффициент VCE (ON)
• Тесное распределение параметров
• Высокая эффективность в широком спектре приложений
• SOA с коротким замыканием 5 мкс
