Base Product Number: IRG7PH35 ->
Current - Collector (Ic) (Max): 50A
Current - Collector Pulsed (Icm): 60A
ECCN: EAR99
Gate Charge: 85nC
HTSUS: 8541.29.0095
IGBT Type: Trench
Input Type: Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package: Tube
Package / Case: TO-247-3
Power - Max: 180W
REACH Status: REACH Unaffected
Reverse Recovery Time (trr): 105ns
RoHS Status: ROHS3 Compliant
Supplier Device Package: TO-247AC
Switching Energy: 1.06mJ (on), 620ВµJ (off)
Td (on/off) @ 25В°C: 30ns/160ns
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200V
Pd - рассеивание мощности: 180 W
Вид монтажа: Through Hole
Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Конфигурация: Single
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 30 V
Минимальная рабочая температура: 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1.2 kV
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.9 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 50 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: 50 A
Подкатегория: IGBTs
Размер фабричной упаковки: 400
Серия: Rectifier Diode Module
Технология: Si
Тип продукта: IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер: 100 nA
Торговая марка: Infineon / IR
Упаковка: Tube
Упаковка / блок: TO-247-3
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/538/DOC011538274.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/407/DOC011407015.pdf
Бренд: Infineon Technologies
Discrete Semiconductor Products\Transistors - IGBTs - Single
IGBT Trench 1200V 50A 180W Through Hole TO-247AC
