Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 100
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.00185 Ом/50А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110
Крутизна характеристики, S: 218
Корпус: PQFN-8(5X6)
Особенности: мощный полевой
Пороговое напряжение на затворе: 2.35
Вес, г: 0.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/863/DOC011863403.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/298/DOC000298151.pdf
Бренд: Infineon Technologies
International Rectifier представил линейку новых силовых HEXFET MOSFET транзисторов, имеющий одно из самых низких значений сопротивления канала в открытом состоянии. Новые силовые транзисторы изготовлены по последней кремниевой технологии и представлены в корпусе PQFN 5x6мм . Данные транзисторы оптимизированы для приложений типа ORing (активные силовые схемы ИЛИ) и электроприводов постоянного тока.
Новые силовые MOSFET транзисторы выполнены по принципиально новому методу корпусирования кристалла с применением медной клипсы. На поверхность кристалла помещается – «защелкивается» медная пластина – клипса, обеспечивая очень плотное прилегание к кристаллу – контакт, позволяющий получить сопротивление перехода кристалл – медная клипса менее чем 1 мОм.
Транзисторы на 25 В IRFH5250TRPbF и 30 В IRFH5300TRPbF предназначены для DC коммутации, например, O'Ring приложений или DC электроприводов, где требуется большая нагрузочная способность по току и высокая эффективность Транзисторы IRFH5250TRPBF на 25В наряду со сверхмалым сопротивлением открытого канала 1.15 мОм (макс.) имеют значение заряда затвора (Qg) 52 нК, а транзисторы IRFH5300TRPBF на 30В – соответственно 1.4 мОм и 50 нК.
В дополнении к отличным характеристикам теплоотвода использование данных транзисторов позволит сократить площадь платы и стоимость разработки, поскольку ранее для снижения потерь требовать использование нескольких компонентов.
