Id - непрерывный ток утечки: 100 A
Pd - рассеивание мощности: 156 W
Qg - заряд затвора: 69 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 4.1 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 60 V
Vgs - напряжение затвор-исток: 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 2 V
Вид монтажа: SMD/SMT
Время нарастания: 13 ns
Время спада: 12 ns
Высота: 0.83 mm
Длина: 6 mm
Канальный режим: Enhancement
Категория продукта: МОП-транзистор
Количество каналов: 1 Channel
Конфигурация: Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 92 S
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Минимальная рабочая температура: 55 C
Подкатегория: MOSFETs
Полярность транзистора: N-Channel
Размер фабричной упаковки: 4000
Технология: Si
Тип продукта: MOSFET
Тип транзистора: 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения: 30 ns
Типичное время задержки при включении: 9.6 ns
Торговая марка: Infineon / IR
Упаковка / блок: PQFN-8
Ширина: 5 mm
Вес, г: 0.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/463/DOC011463146.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/939/DOC011939540.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/578/DOC010578613.pdf
Бренд: Infineon Technologies
МОП-транзистор 60V 1 N-CH HEXFET 4.1mOhms 67nC
