Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 76
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.02 Ом/44А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 375
Крутизна характеристики, S: 79
Корпус: TO-220AB
Особенности: мощный высокочастотный
Пороговое напряжение на затворе: 5
Вес, г: 2.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/297/DOC000297964.pdf
Бренд: Infineon Technologies
MOSFET, N-CH, 200V, TO-220AB; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N; Voltage, Vds Typ: 200V; Current, Id Cont: 76A; Resistance, Rds On: 17mohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement: 10V; Case Style: TO-220AB; Termination Type: Through Hole; Temperature, Operating Range: -55°C to +175°C; Current, Idm Pulse: 300A; Voltage, Vgs th Max: 5V; Voltage, Vgs th Min: 3V
Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 200 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 76 А, Сопротивление открытого канала (мин) 20 мОм
