Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 130
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.024 Ом/46А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 330
Крутизна характеристики, S: 49
Корпус: TO-220AB
Вес, г: 2.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/300/DOC000300494.pdf
Бренд: Infineon Technologies
MOSFET, N, 200V, TO-220; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N; Voltage, Vds Typ: 200V; Current, Id Cont: 65A; Resistance, Rds On: 26ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement: 10V; Voltage, Vgs th Typ: 5V; Case Style: TO-220AB; Termination Type: Through Hole; Capacitance, Ciss Typ: 4600pF; Current, Id Cont @ 100°C: 46A; Current, Id Cont @ 25°C: 65A; Current, Idm Pulse: 260A; Energy, Avalanche Single Pulse Eas: 140mJ; Power, Pd: 190W; Voltage, Rds Measurement: 10V; Voltage, Vds: 200V; Voltage, Vds Max: 200V; Rth: 0.45
Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 200 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 65 А, Сопротивление открытого канала (мин) 24 мОм
