Maximum Operating Temperature: +150 °C
Maximum Continuous Drain Current: 14 A
Package Type: SOIC
Maximum Power Dissipation: 2.5 W
Mounting Type: Surface Mount
Width: 4mm
Forward Transconductance: 27s
Height: 1.5mm
Dimensions: 5 x 4 x 1.5mm
Transistor Material: Si
Number of Elements per Chip: 1
Length: 5mm
Transistor Configuration: Single
Typical Turn-On Delay Time: 8.2 ns
Brand: Infineon
Typical Turn-Off Delay Time: 8.1 ns
Series: HEXFET
Minimum Operating Temperature: -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage: 2.35V
Minimum Gate Threshold Voltage: 1.35V
Maximum Drain Source Resistance: 12.5 m_
Maximum Drain Source Voltage: 30 V
Pin Count: 8
Category: Power MOSFET
Typical Gate Charge @ Vgs: 8.3 nC @ 4.5 V
Channel Mode: Enhancement
Typical Input Capacitance @ Vds: 1040 pF @ 15 V
Channel Type: N
Maximum Gate Source Voltage: -20 V, +20 V
Forward Diode Voltage: 1V
Вес, г: 0.15
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/911/DOC011911001.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC012294437.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/300/DOC000300400.pdf
Бренд: Infineon Technologies
N-канальный силовой полевой МОП-транзистор 30 В, Infineon
Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов с полевыми транзисторами HEXFET® от Infineon включает N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах. И форм-факторы, которые могут решить практически любую проблему компоновки платы и теплового дизайна. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.
