Максимальная рабочая температура: +150 °C
Максимальный непрерывный ток стока: 4.9 A
Тип корпуса: SOIC
Максимальное рассеяние мощности: 2 Вт
Тип монтажа: Поверхностный монтаж
Ширина: 4мм
Высота: 1.5мм
Размеры: 5 x 4 x 1.5мм
Материал транзистора: Кремний
Количество элементов на ИС: 2
Длина: 5мм
Transistor Configuration: Изолированный
Типичное время задержки включения: 6.8 ns
Производитель: Infineon
Типичное время задержки выключения: 22 ns
Серия: HEXFET
Минимальная рабочая температура: -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage: 1V
Minimum Gate Threshold Voltage: 1V
Максимальное сопротивление сток-исток: 80 мОм
Максимальное напряжение сток-исток: 30 V
Число контактов: 8
Типичный заряд затвора при Vgs: 25 нКл при 10 В
Номер канала: Поднятие
Типичная входная емкость при Vds: 520 pF @ 25 V
Тип канала: N
Максимальное напряжение затвор-исток: -20 В, +20 В
Вес, г: 0.15
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/747/DOC011747598.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/011/DOC013011098.pdf
Бренд: Infineon Technologies
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность DUAL N, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 4.3 А
