Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 36
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0265 Ом/22А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 92
Корпус: TO-220AB
Пороговое напряжение на затворе: 2…4
Вес, г: 2.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/039/DOC013039948.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/300/DOC000300424.pdf
Бренд: Infineon Technologies
IRF540ZPBF - это одноканальный N-канальный полевой МОП-транзистор HEXFET® на 100 В, в котором используются новейшие технологии обработки для достижения чрезвычайно низкого сопротивления в открытом состоянии на площади кремния. Дополнительными особенностями этой конструкции являются рабочая температура перехода 175 ° C, высокая скорость переключения и повышенная стойкость к повторяющимся лавинам. Сочетание его функций делает эту конструкцию чрезвычайно эффективным и надежным устройством для самых разных приложений.
• Передовые технологические процессы
• Сверхнизкое сопротивление открытию
• Повторяющиеся лавины допускаются до Tjmax
• Рабочая температура 175 ° C
