Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 42
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.036 Ом/22А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 160
Крутизна характеристики, S: 14
Корпус: TO-220AB
Особенности: аудиоприложения
Пороговое напряжение на затворе: 4
Вес, г: 2.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/974/DOC011974516.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/556/DOC012556898.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/398/DOC014398162.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/196/DOC000196948.pdf
Бренд: Infineon Technologies
IRF1310NPBF - это одноканальный N-канальный силовой полевой МОП-транзистор HEXFET® на 100 В с чрезвычайно низким сопротивлением в открытом состоянии на площадь кремния и быстродействием переключения с использованием передовой планарной технологии.
• Рабочая температура 175 ° C
• Динамический dV
• Рейтинг dt
• Полностью лавинный
