Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 84
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.012 Ом/50А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 200
Крутизна характеристики, S: 69
Корпус: TO-220AB
Пороговое напряжение на затворе: 2…4
Вес, г: 2.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/319/DOC012319319.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/300/DOC000300048.pdf
Бренд: Infineon Technologies
N-канальные силовые полевые МОП-транзисторы от 60 В до 80 В, Infineon
Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов с полевым HEXFET® от Infineon включает N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах. И форм-факторы, которые могут решить практически любую проблему компоновки платы и теплового дизайна. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.
