Id - непрерывный ток утечки: 1.9 A
Pd - рассеивание мощности: 2.5 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 3.6 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 600 V
Vgs - напряжение затвор-исток: 30 V
Вид монтажа: SMD/SMT
Время нарастания: 25 ns
Время спада: 28 ns
Высота: 2.39 mm
Длина: 6.73 mm
Другие названия товара №: FQD2N60CTM_NL
Канальный режим: Enhancement
Категория продукта: МОП-транзистор
Количество каналов: 1 Channel
Конфигурация: Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 5 S
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Минимальная рабочая температура: 55 C
Подкатегория: MOSFETs
Полярность транзистора: N-Channel
Размер фабричной упаковки: 2500
Серия: FQD2N60C
Технология: Si
Тип: MOSFET
Тип продукта: MOSFET
Тип транзистора: 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения: 24 ns
Типичное время задержки при включении: 9 ns
Торговая марка: ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блок: TO-252-3
Ширина: 6.22 mm
Transistor Mounting: Surface Mount
Количество Выводов: 3вывод(-ов)
Напряжение Измерения Rds(on): 10В
Напряжение Истока-стока Vds: 600В
Непрерывный Ток Стока: 1.9А
Пороговое Напряжение Vgs: 4В
Рассеиваемая Мощность: 44Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on): 3.6Ом
Стиль Корпуса Транзистора: TO-252AA
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 1-Безлимитный
Вес, г: 0.35
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/487/DOC011487648.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/966/DOC011966418.pdf
Бренд: ON Semiconductor
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD
МОП-транзистор N-CH/600V/2A/A.QFET
