Pd - рассеивание мощности: 379 W
Вид монтажа: SMD/SMT
Высота: 9.6 mm
Диапазон рабочих температур: 55 C to + 150 C
Длина: 38.2 mm
Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Конфигурация: Single
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 30 V
Минимальная рабочая температура: 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1.2 kV
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.7 V
Непрерывный коллекторный ток: 124 A
Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 124 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: 124 A
Подкатегория: IGBTs
Размер фабричной упаковки: 1
Технология: Si
Тип продукта: IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер: 600 nA
Торговая марка: Microchip / Microsemi
Упаковка: Tube
Упаковка / блок: SOT-227-4
Ширина: 25.4 mm
Base Product Number: APT75GN120 ->
Configuration: Single
Current - Collector (Ic) (Max): 124A
Current - Collector Cutoff (Max): 200ВµA
ECCN: EAR99
HTSUS: 8541.29.0095
IGBT Type: Trench Field Stop
Input: Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.8nF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited)
Mounting Type: Chassis Mount
NTC Thermistor: No
Operating Temperature: -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package: Tube
Package / Case: ISOTOP
Power - Max: 379W
REACH Status: REACH Unaffected
RoHS Status: RoHS Compliant
Supplier Device Package: ISOTOPВ®
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200V
Вес, г: 30
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/290/DOC012290789.pdf
Бренд: Microchip Technology
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 1200V, 75A, SOT-227
