Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 80
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 80
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 40
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 85
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 1.75
Корпус: dpak(to-252)
Вес, г: 0.4
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/633/DOC012633765.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/205/DOC000205010.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/414/DOC014414772.pdf
Бренд: ON Semiconductor
TRANSISTOR, NPN, D-PAK Transistor Type Bipolar Transistor Polarity NPN Collector-to-Emitter Breakdown Voltage 80V Current Ic Continuous a Max 8A Voltage, Vce Sat Max 1V Power Dissipation 1.75W Min Hfe 40 ft, Typ 50MHz Case Style D-PAK Termination Type SMD Application Code PGP Current Ic Max 8A Current Ic hFE 4A External Depth 10.28mm External Length / Height 2.38mm Power, Ptot 20W SMD Marking MJD44H11 Temperature, Full Power Rating 25°C Transistors, No. of 1 Voltage, Vcbo 10V dc Width, External 6.73mm
Корпус TO252, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 20 Вт, Напряжение КЭ максимальное 80 В, Ток коллектора 8 А, Коэффициент усиления по току, min 60
