Pd - рассеивание мощности: 790 W
Вид монтажа: SMD/SMT
Другие названия товара №: FD150R12RT4HOSA1 SP000711858
Категория продукта: Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер: +/- 20 V
Минимальная рабочая температура: 40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2.15 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 150 A
Подкатегория: IGBTs
Размер фабричной упаковки: 10
Тип продукта: IGBT Modules
Ток утечки затвор-эмиттер: 100 nA
Торговая марка: Infineon Technologies
Упаковка: Tray
Вес, г: 152
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/330/DOC012330493.pdf
Бренд: Infineon Technologies
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 150A
