Максимальная рабочая температура: +150 °C
Максимальный непрерывный ток стока: 2.8 A
Тип корпуса: SOT-223
Максимальное рассеяние мощности: 2.1 W
Тип монтажа: Поверхностный монтаж
Ширина: 3.7мм
Высота: 1.739мм
Размеры: 6.7 x 3.7 x 1.739мм
Материал транзистора: Кремний
Количество элементов на ИС: 1
Длина: 6.7мм
Transistor Configuration: Одинарный
Типичное время задержки включения: 5,1 нс
Производитель: Infineon
Типичное время задержки выключения: 14 ns
Серия: HEXFET
Минимальная рабочая температура: -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage: 2V
Minimum Gate Threshold Voltage: 1V
Максимальное сопротивление сток-исток: 280 m_
Максимальное напряжение сток-исток: 55 В
Число контактов: 3+Tab
Типичный заряд затвора при Vgs: 9,5 нКл при 10 В
Номер канала: Поднятие
Типичная входная емкость при Vds: 230 пФ при 25 В
Тип канала: N
Максимальное напряжение затвор-исток: -16 V, +16 V
Вес, г: 0.2
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/610/DOC011610140.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/950/DOC012950014.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/155/DOC013155999.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/476/DOC011476704.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/246/DOC005246498.pdf
Бренд: Infineon Technologies
Корпус PGSOT2234, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 2 А, Сопротивление открытого канала (мин) 140 мОм
