Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 55
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 16
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.026 Ом/29А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 200
Крутизна характеристики, S: 28
Корпус: TO-220AB
Пороговое напряжение на затворе: 2
Вес, г: 2.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/046/DOC013046053.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/297/DOC000297899.pdf
Бренд: Infineon Technologies
The IRL2910PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation. The package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50W.
• Logic level gate drive
• Advanced process technology
• Dynamic dV/dt rating
• Fast switching
• Fully avalanche rating
