Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 47
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 16
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.022 Ом/25А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110
Крутизна характеристики, S: 21
Корпус: TO-220AB
Пороговое напряжение на затворе: 2
Вес, г: 2.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/510/DOC011510024.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/625/DOC011625624.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/196/DOC000196939.pdf
Бренд: Infineon Technologies
MOSFET, N, 55V, 41A, TO-220 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 55V Current, Id Cont 41A Resistance, Rds On 0.022ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V Voltage, Vgs th Typ 2V Case Style TO-220AB Termination Type Through Hole Current, Idm Pulse 160A Lead Spacing 2.54mm No. of Pins 3 Power Dissipation 83W Power, Pd 83W Temperature, Current 25°C Temperature, Full Power Rating 25°C Thermal Resistance, Junction to Case A 1.8°C/W Transistors, No. of 1 Voltage, Vds Max 55V Voltage, Vgs th Max 2V
Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 47 А, Сопротивление открытого канала (мин) 22 мОм
