Id - непрерывный ток утечки: 210 A
Pd - рассеивание мощности: 300 W
Qg - заряд затвора: 120 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 2.4 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 60 V
Vgs - напряжение затвор-исток: 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 1.8 V
Вид монтажа: Through Hole
Высота: 9.45 mm
Длина: 10.2 mm
Канальный режим: Enhancement
Категория продукта: МОП-транзистор
Количество каналов: 1 Channel
Конфигурация: Single
Максимальная рабочая температура: + 175 C
Минимальная рабочая температура: 55 C
Подкатегория: MOSFETs
Полярность транзистора: N-Channel
Размер фабричной упаковки: 1000
Технология: Si
Тип продукта: MOSFET
Тип транзистора: 1 N-Channel
Торговая марка: Infineon / IR
Упаковка: Tube
Упаковка / блок: TO-262-3
Ширина: 4.5 mm
Вес, г: 1.6
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/587/DOC012587799.pdf
Бренд: Infineon Technologies
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT
МОП-транзистор MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC
