Maximum Operating Temperature: +175 °C
Maximum Continuous Drain Current: 160 A
Package Type: TO-247
Maximum Power Dissipation: 310 W
Mounting Type: Through Hole
Width: 19.71mm
Forward Transconductance: 77s
Height: 5.31mm
Dimensions: 15.29 x 19.71 x 5.31mm
Transistor Material: Si
Number of Elements per Chip: 1
Length: 15.29mm
Transistor Configuration: Single
Typical Turn-On Delay Time: 12 ns
Brand: Infineon
Typical Turn-Off Delay Time: 140 ns
Series: HEXFET
Minimum Operating Temperature: -55 °C
Maximum Drain Source Resistance: 5.3 m_
Maximum Drain Source Voltage: 55 V
Pin Count: 3
Category: Power MOSFET
Typical Gate Charge @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Channel Mode: Enhancement
Typical Input Capacitance @ Vds: 5600 pF @ 25 V
Channel Type: N
Maximum Gate Source Voltage: -20 V, +20 V
Forward Diode Voltage: 1.3V
Вес, г: 7.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/920/DOC012920812.pdf
Бренд: Infineon Technologies
N-канальный силовой МОП-транзистор, 55 В, Infineon
Линейка дискретных силовых МОП-транзисторов с HEXFET® от Infineon включает N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также в форм-факторах, которые подходят практически для любой компоновки платы и теплового дизайна вызов. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.
