Максимальная рабочая температура: +150 °C
Максимальный непрерывный ток стока: 5,3 А, 7,3 А
Тип корпуса: SOIC
Максимальное рассеяние мощности: 2,5 Вт
Тип монтажа: Поверхностный монтаж
Ширина: 4мм
Высота: 1.5мм
Размеры: 5 x 4 x 1.5мм
Материал транзистора: Кремний
Количество элементов на ИС: 2
Длина: 5мм
Transistor Configuration: Изолированный
Типичное время задержки включения: 8.1 ns, 13 ns
Производитель: Infineon
Типичное время задержки выключения: 26 ns, 34 ns
Серия: HEXFET
Минимальная рабочая температура: -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage: 1V
Minimum Gate Threshold Voltage: 1V
Максимальное сопротивление сток-исток: 46 m_, 98 m_
Максимальное напряжение сток-исток: 30 V
Число контактов: 8
Типичный заряд затвора при Vgs: 22 nC @ 10 V, 23 nC @ 10 V
Номер канала: Поднятие
Типичная входная емкость при Vds: 650 pF@ 25 V, 710 pF@ -25 V
Тип канала: N, P
Максимальное напряжение затвор-исток: -20 В, +20 В
Вес, г: 0.15
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/015/DOC001015376.pdf
Бренд: Infineon Technologies
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N+P, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 7.3 А, Сопротивление открытого канала (мин) 42 мОм
