Максимальная рабочая температура: +150 °C
Максимальный непрерывный ток стока: 16 A
Тип корпуса: TO-220F
Максимальное рассеяние мощности: 38,5 Вт
Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия
Ширина: 4.7мм
Высота: 15.87мм
Размеры: 10.16 x 4.7 x 15.87мм
Материал транзистора: Кремний
Количество элементов на ИС: 1
Длина: 10.16мм
Transistor Configuration: Одинарный
Типичное время задержки включения: 40 нс
Производитель: ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения: 65 нс
Серия: UniFET
Минимальная рабочая температура: -55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage: 3V
Максимальное сопротивление сток-исток: 380 мОм
Максимальное напряжение сток-исток: 500 В
Число контактов: 3
Типичный заряд затвора при Vgs: 32 нКл при 10 В
Номер канала: Поднятие
Типичная входная емкость при Vds: 1495 пФ при 25 В
Тип канала: N
Максимальное напряжение затвор-исток: -30 В, +30 В
Вес, г: 2
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/950/DOC012950014.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/159/DOC015159332.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/861/DOC011861889.pdf
Бренд: ON Semiconductor
N-канальный МОП-транзистор UniFET ™, Fairchild Semiconductor
МОП-транзистор UniFET ™ - это семейство высоковольтных МОП-транзисторов Fairchild Semiconductor. Он имеет наименьшее сопротивление в открытом состоянии среди планарных полевых МОП-транзисторов, а также обеспечивает превосходные характеристики переключения и более высокую устойчивость к лавинной энергии. Кроме того, внутренний антистатический диод затвор-исток позволяет MOSFET-транзистору UniFET-II ™ выдерживать импульсное напряжение HBM более 2000 В.
Полевые МОП-транзисторы UniFET ™ подходят для применения в импульсных преобразователях мощности, таких как коррекция коэффициента мощности (PFC), плоские дисплеи (FPD) Питание телевизора, ATX (Advanced Technology eXtended) и электронные балласты для ламп.
