Pd - рассеивание мощности: 1.04 kW
RoHS: N
Вид монтажа: Chassis Mount
Высота: 30.9 mm
Длина: 106.4 mm
Другие названия товара №: SP000100741 DF200R12KE3HOSA1
Категория продукта: Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
Конфигурация: Single
Максимальная рабочая температура: + 125 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V
Минимальная рабочая температура: 40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.7 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 200 A
Подкатегория: IGBTs
Размер фабричной упаковки: 10
Серия: IGBT3 - E3
Тип продукта: IGBT Modules
Ток утечки затвор-эмиттер: 400 nA
Торговая марка: Infineon Technologies
Упаковка: Tray
Упаковка / блок: IS5a ( 62 mm )-5
Ширина: 61.4 mm
Вес, г: 340
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/232/DOC012232619.pdf
Бренд: Infineon Technologies
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 200A DUAL
