Pd - рассеивание мощности: 30 W
Вид монтажа: Through Hole
Высота: 9.25 mm
Длина: 10 mm
Другие названия товара №: SP000215376 IKA10N60TXKSA1
Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Коммерческое обозначение: TRENCHSTOP
Конфигурация: Single
Максимальная рабочая температура: + 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V
Минимальная рабочая температура: 40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 11.7 A
Подкатегория: IGBTs
Размер фабричной упаковки: 500
Серия: Trenchstop IGBT3
Технология: Si
Тип продукта: IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер: 100 nA
Торговая марка: Infineon Technologies
Упаковка: Tube
Упаковка / блок: TO-220-3 FP
Ширина: 4.4 mm
Вес, г: 6
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/314/DOC012314627.pdf
Бренд: Infineon Technologies
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS DuoPack 600V 10A
