Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2 Ом/2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 25
Крутизна характеристики, S: 3
Корпус: to-220fp
Вес, г: 2
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/676/DOC011676649.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/467/DOC012467720.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/012/DOC013012359.pdf
Бренд: ST Microelectronics
MOSFET, N, TO-220FP Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 600V Current, Id Cont 4A Resistance, Rds On 2ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V Voltage, Vgs th Typ 3.75V Case Style TO-220FP Termination Type Through Hole Avalanche Single Pulse Energy Eas 120mJ Current Iar 4A Current, Idm Pulse 16A Power, Pd 25W Resistance, Rds on @ Vgs = 10V 2ohm Typ Capacitance Ciss 510pF Voltage, Rds Measurement 10V Voltage, Vds 600V Voltage, Vds Max 600V Voltage, Vgs Max 30V Voltage, Vgs th Max 4.5V Voltage, Vgs th Min 3V
Корпус TO220FP, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 4 А, Сопротивление открытого канала (мин) 2 Ом
