Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 48
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.023 Ом/29А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110
Крутизна характеристики, S: 15
Корпус: TO-220AB
Пороговое напряжение на затворе: 4
Вес, г: 2.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/413/DOC011413533.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/196/DOC000196757.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/454/DOC014454789.pdf
Бренд: Infineon Technologies
IRFZ44EPBF представляет собой N-канальный силовой полевой МОП-транзистор HEXFET®, в котором используются передовые технологии обработки для достижения чрезвычайно низкого сопротивления в открытом состоянии на площади кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью переключения и прочной конструкцией устройства обеспечивает чрезвычайно эффективную и надежную работу. Пакет универсально предпочтителен для всех коммерческих и промышленных применений при уровне рассеиваемой мощности примерно до 50 Вт.
• Передовые технологические процессы
• Динамический рейтинг dV / dt
• Полностью лавинный рейтинг
