Максимальная рабочая температура: +175 °C
Максимальный непрерывный ток стока: 50 A
Тип корпуса: TO-247AC
Максимальное рассеяние мощности: 300 Вт
Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия
Ширина: 5.2мм
Высота: 21.1мм
Размеры: 16.13 x 5.2 x 21.1мм
Материал транзистора: Кремний
Количество элементов на ИС: 1
Длина: 16.13мм
Transistor Configuration: Одинарный
Типичное время задержки включения: 17 нс
Производитель: Infineon
Типичное время задержки выключения: 55 нс
Серия: HEXFET
Минимальная рабочая температура: -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage: 4V
Minimum Gate Threshold Voltage: 2V
Максимальное сопротивление сток-исток: 40 м_
Максимальное напряжение сток-исток: 200 В
Число контактов: 3
Типичный заряд затвора при Vgs: 234 нКл при 10 В
Номер канала: Поднятие
Типичная входная емкость при Vds: 4057 пФ при 25 В
Тип канала: N
Максимальное напряжение затвор-исток: -20 В, +20 В
Вес, г: 7.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/611/DOC011611442.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/208/DOC005208430.pdf
Бренд: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Корпус TO247AC, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 200 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 50 А, Сопротивление открытого канала (мин) 40 мОм
