Структура: p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 31
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.06 Ом/16А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110
Крутизна характеристики, S: 8
Корпус: TO-220AB
Пороговое напряжение на затворе: -4
Вес, г: 2.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/631/DOC011631570.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/770/DOC011770472.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/415/DOC011415125.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/197/DOC000197090.pdf
Бренд: Infineon Technologies
P-канальные силовые полевые МОП-транзисторы от 40 до 55 В, Infineon
Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов Infineon HEXFET® включает устройства с P-каналом в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также в форм-факторах, которые подходят практически для любой компоновки платы и проблема теплового проектирования. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.
