Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 50
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 30
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.04 Ом/15А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 75
Крутизна характеристики, S: 8
Корпус: TO-220AB
Пороговое напряжение на затворе: 4
Вес, г: 2.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/222/DOC000222411.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/871/DOC011871916.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/415/DOC014415153.pdf
Бренд: ON Semiconductor
N-канальный MOSFET в режиме улучшения, Fairchild Semiconductor
Полевые транзисторы (FET) в режиме улучшения производятся с использованием запатентованной Fairchild, технологии DMOS с высокой плотностью ячеек. Этот процесс с высокой плотностью был разработан для минимизации сопротивления в открытом состоянии, обеспечения прочной и надежной работы и быстрого переключения.
