Gate Trigger Current Max (QI), Igt: 35
Gate Trigger Voltage Max Vgt: 1.3
Holding Current Max Ih: 35
No. of Pins: 3
On State RMS Current IT(rms): 12
Operating Temperature Max: 125
Peak Non Rep Surge Current Itsm 50Hz: 120
Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm: 800
Triac Case Style: TO-220AB
Количество Выводов: 3
Максимальная Рабочая Температура: 125
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt: 1.3
Максимальный Отпирающий Ток Затвора (QI), Igt: 35
Максимальный Ток Удержания Ih: 35
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm: 800
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц: 120
Стиль Корпуса Симистора: TO-220AB
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms): 12
AC Switch: Yes
Automotive: No
ECCN (US): EAR99
EU RoHS: Compliant with Exemption
Lead Shape: Through Hole
Maximum Gate Trigger Current (mA): 35
Maximum Gate Trigger Voltage (V): 1.3
Maximum Holding Current (mA): 35
Maximum Operating Temperature (°C): 125
Maximum Rate of Rise of Off-State Voltage (V/us): 500(Min)
Maximum Rate of Rise of On-State Current (A/us): 50
Minimum Operating Temperature (°C): -40
Mounting: Through Hole
Packaging: Tube
Part Status: Active
PCB changed: 3
Peak On-State Voltage (V): 1.55 17A
Pin Count: 3
PPAP: No
Repetitive Peak Forward Blocking Voltage (V): 800
Repetitive Peak Off-State Current (mA): 0.005
Repetitive Peak Reverse Voltage (V): 800
Standard Package Name: TO-220
Supplier Package: TO-220AB
Surge Current Rating (A): 126
Вес, г: 4.84
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/602/DOC012602664.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/583/DOC001583293.pdf
Бренд: ST Microelectronics
Полупроводники - Дискретные\Тиристоры\Симисторы (Триаки) - TRIAC
BTA12-800CWRG - это изолированный симистор Snubberless ™ на 12 А, подходящий для коммутации переменного тока общего назначения. Его можно использовать как функцию ВКЛ / ВЫКЛ или функцию угла сдвига фаз в различных приложениях. Версия Snubberless особенно рекомендуется для использования с индуктивными нагрузками из-за их высоких коммутационных характеристик.
• Среднетоковый TRIAC
• Низкое тепловое сопротивление с зажимом
• Изоляционная керамика с низким тепловым сопротивлением для изолированного BTA
• Высокая коммутационная способность (4 квадранта) или очень высокая коммутационная способность (3 квадранта) p>
