Максимальная рабочая температура: +70 °C
Количество каналов на ИС: 2
Длина: 4.9мм
Типичная скорость нарастания: 13В/мкс
Типичное усиление по напряжению: 106.02 dB
Производитель: Texas Instruments
Тип источника питания: Два
Тип корпуса: SOIC
Тип монтажа: Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура: 0°C
Ширина: 3.91мм
Типичная интенсивность шумов входного напряжения: 18нВ/vГц
Rail to Rail: No
Высота: 1.58мм
Число контактов: 8
Размеры: 4.9 x 3.91 x 1.58мм
Типичное произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания: 3МГц
Типичное двойное напряжение питания: ±12 V, ±15 V, ±5 V, ±9 V
Вес, г: 0.2
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/082/DOC012082361.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/005/DOC004005458.pdf
Бренд: Texas Instruments
• Низкое энергопотребление 1,4 мА
• канал
• Широкий диапазон синфазного и дифференциального напряжения
• Полоса пропускания Unity 3 МГц
• Высокая скорость нарастания напряжения 13 В
• мкс • Диапазон напряжения питания от 7 В до 36 В
• Низкий входной ток смещения 30 пА
• Низкий входной ток смещения 5 пА
• Защита от короткого замыкания на выходе
• Входной каскад JFET с высоким входным сопротивлением
• Диапазон рабочих температур от 0 ° C до 70 ° C
