Максимальное обратное напряжение Uобр.,В: 800
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии Uзс.повт.макс.,В: 800
Макс. среднее за период значение тока в открытом состоянии Iос.ср.макс.,А: 26
Макс. кратковременный импульсный ток в открытом состоянии Iкр.макс.,А: 260
Макс. напр. в открытом состоянии Uос.макс.,В: 1.5
Наименьший постоянный ток управления, необходимый для включения тиристора Iу.от.мин.,А: 0.1
Отпирающее напряжение управления,соответствующее минимальному постоянному отпирающему току Uу.от.,В: 1.3
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dUзс./dt,В/мкс: 500
Рабочая температура,С: -40…125
Корпус: top-3 insulated
Конфигурация: single
Тип симистора: standard
Максимальное напряжение в закрытом состоянии, В: 800
Максимально допустимы ток в открытом состоянии, А: 25
Отпирающее постоянное напряжение управления, В: 1.3
Ударный ток в открытом состоянии, А: 250
Отпирающий постоянный ток управления, мА: 50
Ток удержания, мА: 80
Вес, г: 7
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/882/DOC000882850.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/486/DOC014486538.pdf
Бренд: ST Microelectronics
Корпус TOP3, Ток коммутации номинальный 25 А, Максимальное рабочее напряжение 800 В, Тип управляемого диода Симистор
