EU RoHS: Compliant with Exemption
ECCN (US): EAR99
Part Status: Active
HTS: 8541.10.00.80
Type: Schottky Diode
Configuration: Single
Peak Reverse Repetitive Voltage (V): 60
Maximum Continuous Forward Current (A): 2
Peak Non-Repetitive Surge Current (A): 50
Peak Forward Voltage (V): 0.7
Peak Reverse Current (uA): 500
Maximum Diode Capacitance (pF): 200
Minimum Operating Temperature (°C): -65
Maximum Operating Temperature (°C): 150
Supplier Temperature Grade: Commercial
Packaging: Tape and Reel
Automotive: Yes
AEC Qualified Number: AEC-Q101
Pin Count: 2
Supplier Package: SMB
Standard Package Name: DO-214-AA
Military: No
Mounting: Surface Mount
Package Height: 2.3(Max)
Package Length: 4.57(Max)
Package Width: 3.94(Max)
PCB changed: 2
Lead Shape: J-Lead
Diode Configuration: Одинарный
Максимальная рабочая температура: +150 °C
Количество элементов на ИС: 1
Длина: 4.57мм
Производитель: DiodesZetex
Тип корпуса: DO-214AA (SMB)
Максимальный непрерывный прямой ток: 2A
Тип монтажа: Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура: -65 °C
Ширина: 3.94мм
Высота: 2.3мм
Maximum Forward Voltage Drop: 700мВ
Число контактов: 2
Размеры: 4.57 x 3.94 x 2.3мм
Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки: 50A
Пиковый обратный ток: 20000мкА
Тип диода: Диод Шоттки
Пиковое обратное повторяющееся напряжение: 1 _ 60V
Diode Technology: Диод Шоттки
Brand: DiodesZetex
Package Type: DO-214AA (SMB)
Mounting Type: Поверхностный монтаж
Максимальное падение прямого напряжения: 700мВ
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current: 50A
If - Forward Current: 2A
Peak Reverse Voltage: 60V
Vf - Forward Voltage: 700mV @ 2A
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/941/DOC011941808.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/057/DOC000057299.pdf
Бренд: Diodes Incorporated
Диоды с барьером Шоттки, от 2А до 9А, Diodes Inc.
Супербарьерные выпрямительные диоды (SBR) - это следующее поколение выпрямителей. Двухконтактное устройство имеет более низкое прямое напряжение (VF), чем сопоставимые диоды Шоттки, при этом обладая термостабильностью и высокими характеристиками надежности эпитаксиальных диодов PN.
