Максимальное обратное напряжение Uобр.,В: 600
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии Uзс.повт.макс.,В: 600
Макс. среднее за период значение тока в открытом состоянии Iос.ср.макс.,А: 25
Макс. кратковременный импульсный ток в открытом состоянии Iкр.макс.,А: 190
Макс. напр. в открытом состоянии Uос.макс.,В: 1.55
Наименьший постоянный ток управления, необходимый для включения тиристора Iу.от.мин.,А: 0.035
Отпирающее напряжение управления,соответствующее минимальному постоянному отпирающему току Uу.от.,В: 1.5
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dUзс./dt,В/мкс: 10
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt,А/мкс: 10
Время включения tвкл.,мкс: 2
Рабочая температура,С: -40…125
Корпус: TO-220AB
Конфигурация: single
Тип симистора: standard
Максимальное напряжение в закрытом состоянии, В: 600
Максимально допустимы ток в открытом состоянии, А: 25
Отпирающее постоянное напряжение управления, В: 1.5
Ударный ток в открытом состоянии, А: 190
Отпирающий постоянный ток управления, мА: 35
Ток удержания, мА: 60
Вес, г: 2.5
Файлы: https://static.chipdip.ru/lib/301/DOC000301652.pdf, https://static.chipdip.ru/lib/514/DOC011514852.pdf
Бренд: WeEn Semiconductors
TRIAC, NXP Semiconductors
